在電了設(shè)備中，電磁干擾能量一般通過(guò)傳導(dǎo)性耦合和輻射性耦合兩種方式來(lái)傳輸。設(shè)計(jì)時(shí)，通常對(duì)傳導(dǎo)性耦合采取濾波方法加以抑制；而對(duì)輻射性耦合則采用電磁屏蔽措施予以控制。
電磁屏蔽是解決電子設(shè)備電磁兼容問(wèn)題的重要手段之一，大部分電磁兼容問(wèn)題都可以通過(guò)電磁屏蔽來(lái)解決，特別是隨著電路工作的頻率日益提高，單純依靠線路板設(shè)計(jì)往往不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的要求。電予設(shè)備的屏蔽設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有許多不同之處，一般地在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)如果沒(méi)有考慮屏蔽問(wèn)題，很難滿足電磁兼容性要求。所以，在設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品時(shí)，必須從一開始就考慮電磁屏蔽問(wèn)題。電磁屏蔽主要是用來(lái)防止高頻電磁場(chǎng)的影響，從而有效地控制電磁波從某一區(qū)域向另一區(qū)域進(jìn)行輻射傳播。基本原理是采用低電阻值的導(dǎo)體材料，利用電磁波在屏蔽體表面的反射、在導(dǎo)體內(nèi)部的吸收及傳輸過(guò)程中的損耗而產(chǎn)生屏蔽作用。
電磁屏蔽的目的就是抑制電磁噪聲的傳播，使處在電磁環(huán)境中的儀器在避免電磁干擾(EMI)的同時(shí)也不產(chǎn)生電磁干擾，通常采用導(dǎo)電性、導(dǎo)磁性較好的材料把所需屏蔽的區(qū)域與外部隔離開米。
屏蔽體的有效性是用屏蔽效能來(lái)度量的，屏蔽效能定義為：在電磁場(chǎng)中同一地點(diǎn)沒(méi)有屏蔽存在時(shí)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度E1與有屏蔽時(shí)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度E2的比值，它表征了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。用于電磁兼容目的的屏蔽休通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之-至百萬(wàn)分之一，因此通常用分貝來(lái)表述屏蔽效能，這時(shí)屏蔽效能(SE)的定義公式為：
SE=201g(E1／E2) (dB)
式中E1足沒(méi)有屏蔽體時(shí)測(cè)得的場(chǎng)強(qiáng)，E2是有屏蔽體時(shí)測(cè)得的場(chǎng)強(qiáng)。
屏蔽效能越高，每增加20dB的難度越大。民用設(shè)備的機(jī)箱一般僅需要40dB左右的屏蔽效能，而軍用設(shè)備的機(jī)箱一般需要60dB以上的屏蔽效能，TEMPEST設(shè)備的屏蔽機(jī)箱的屏蔽效能要達(dá)到80dB以上。屏蔽室或屏蔽艙等往往要達(dá)到100dB，100dB以上的屏蔽體是很難制造的，成本也很高。
機(jī)箱的電磁屏蔽，不僅取決于構(gòu)成機(jī)箱的材料，而且取決于機(jī)箱的結(jié)構(gòu)，即首先要選用高導(dǎo)電、導(dǎo)磁特性的材料作為屏蔽材料，其次要保證機(jī)箱導(dǎo)電的連續(xù)性。但實(shí)際屏蔽機(jī)箱的屏蔽效能在很大程度上取決于穿過(guò)機(jī)箱的導(dǎo)線，特別是穿過(guò)機(jī)箱的電源線。因此要重點(diǎn)解決電源線的屏蔽問(wèn)題；當(dāng)設(shè)備由外部電源單獨(dú)供電時(shí)，設(shè)計(jì)時(shí)可不考慮電源線的影響，但應(yīng)解決好電源輸入接口的電磁干擾問(wèn)題。
本通信終端采用外部獨(dú)立電源供電，內(nèi)部附加電源模塊。因此，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)只考慮通信接口、電源輸入、鍵盤、顯示屏及上下部分結(jié)合處的電磁屏蔽問(wèn)題。
