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一般情況下,屏蔽機箱上的不同部分的結合處不可能完全接觸,只能在某些點接觸上,這構成了一個孔洞陣列。縫隙是造成屏蔽機箱屏蔽效能降級的主要原因之一。在實際工程中,常常用縫隙的阻抗來衡量縫隙的屏蔽效能。縫隙的阻抗越小,則電磁泄漏越小,屏蔽效能越高。
縫隙處的阻抗:縫隙的阻抗可以用電阻和電容并聯來等效,因為接觸上的點相當一個電阻,沒有接觸的點相當于一個電容,整個縫隙就是許多電阻和電容的并聯。低頻時,電阻分量起主要作用;高頻時,電容分量起主要作用。由于電容的容抗隨著頻率升高降低,因此如果縫隙是主要泄漏源,則屏蔽機箱的屏蔽效能優(yōu)勢隨著頻率的升高而增加。但是,如果縫隙的尺寸較大,高頻泄漏也是縫隙泄漏的主要現象。
影響電阻成分的因素:影響縫隙上電阻成分的因素主要有:接觸面積(接觸點數)、接觸面材料(一般較軟的材料接觸電阻較小)、接觸面的清潔程度、接觸面的壓力(壓力要足以使接觸點穿透金屬表層氧化層)、氧化腐蝕等。
影響電容成分的因素:根據電容器原理,很容易知道:兩個表面之間距離越近,相對的面積越大,則電容越大。
解決縫隙泄漏的措施:
1) 接觸面的重合面積,這可以減小電阻、增加電容。
2) 使用盡量多的緊固螺釘,這也可以減小電阻、增加電容。
3) 保持接觸面清潔,減小接觸電阻。
4) 保持接觸面較好的平整度,這可以減小電阻、增加電容。
5) 使用電磁密封襯墊電磁,縫隙電磁泄漏的措施消除縫隙上不接觸點。
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在電子設備及電子產品中,電磁干擾(Electromagnetic Interference)能量通過傳導性耦合和輻射性耦合來進行傳輸。為滿足電磁兼容性要求,對傳導性耦合需采用濾波技術,即采用EMI濾波器件加以抑制;對輻射性耦合則需采用屏蔽技術加以抑制。在當前電磁頻譜日趨密集、單位體積內電磁功率密度急劇增加、高低電平器件或設備大量混合使用等因素而導致設備及系統(tǒng)電磁環(huán)境日益惡化的情況下,其重要性就顯得更為突出。
屏蔽是通過由金屬制成的殼、盒、板等屏蔽體,將電磁波局限于某一區(qū)域內的一種方法。由于輻射源分為近區(qū)的電場源、磁場源和遠區(qū)的平面波,因此屏蔽體的屏蔽性能依據輻射源的不同,在材料選擇、結構形狀和對孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設計中要達到所需的屏蔽性能,則需首先確定輻射源,明確頻率范圍,再根據各個頻段的典型泄漏結構,確定控制要素,進而選擇恰當的屏蔽材料,設計屏蔽殼體。
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